Logo
Unionpedia
Giao tiếp
Tải nội dung trên Google Play
Mới! Tải Unionpedia trên thiết bị Android™ của bạn!
Miễn phí
truy cập nhanh hơn trình duyệt!
 

Epitaxy chùm phân tử và Nhiễu xạ điện tử

Phím tắt: Sự khác biệt, Điểm tương đồng, Jaccard Similarity Hệ số, Tài liệu tham khảo.

Sự khác biệt giữa Epitaxy chùm phân tử và Nhiễu xạ điện tử

Epitaxy chùm phân tử vs. Nhiễu xạ điện tử

Epitaxy chùm phân tử (tiếng Anh: Molecular beam epitaxy, viết tắt là MBE) là thuật ngữ chỉ một kỹ thuật chế tạo màng mỏng bằng cách sử dụng các chùm phân tử lắng đọng trên đế đơn tinh thể trong chân không siêu cao, để thu được các màng mỏng đơn tinh thể có cấu trúc tinh thể gần với cấu trúc của lớp đế. Nhiễu xạ điện tử là hiện tượng sóng điện tử nhiễu xạ trên các mạng tinh thể chất rắn, thường được dùng để nghiên cứu cấu trúc chất rắn bằng cách dùng một chùm điện tử có động năng cao chiếu qua mạng tinh thể chất rắn, từ đó phân tích các vân giao thoa để xác định cấu trúc vật rắn.

Những điểm tương đồng giữa Epitaxy chùm phân tử và Nhiễu xạ điện tử

Epitaxy chùm phân tử và Nhiễu xạ điện tử có 0 điểm chung (trong Unionpedia).

Danh sách trên trả lời các câu hỏi sau

So sánh giữa Epitaxy chùm phân tử và Nhiễu xạ điện tử

Epitaxy chùm phân tử có 19 mối quan hệ, trong khi Nhiễu xạ điện tử có 16. Khi họ có chung 0, chỉ số Jaccard là 0.00% = 0 / (19 + 16).

Tài liệu tham khảo

Bài viết này cho thấy mối quan hệ giữa Epitaxy chùm phân tử và Nhiễu xạ điện tử. Để truy cập mỗi bài viết mà từ đó các thông tin được trích xuất, vui lòng truy cập:

Chào! Chúng tôi đang ở trên Facebook bây giờ! »