Logo
Unionpedia
Giao tiếp
Tải nội dung trên Google Play
Mới! Tải Unionpedia trên thiết bị Android™ của bạn!
Tải về
truy cập nhanh hơn trình duyệt!
 

RAM động và Samsung Electronics

Phím tắt: Sự khác biệt, Điểm tương đồng, Jaccard Similarity Hệ số, Tài liệu tham khảo.

Sự khác biệt giữa RAM động và Samsung Electronics

RAM động vs. Samsung Electronics

Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM hay RAM động) là một loại bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên lưu mỗi bit dữ liệu trong một tụ điện riêng biệt trên một mạch tích hợp. Samsung Electronics Co., Ltd. (Tiếng Hàn: 삼성전자; Hanja: 三星電子) là công ty điện tử đa quốc gia Hàn Quốc trụ sở đặt tại Suwon, Hàn Quốc.

Những điểm tương đồng giữa RAM động và Samsung Electronics

RAM động và Samsung Electronics có 1 điểm chung (trong Unionpedia): Vi mạch.

Vi mạch

mm. Vi mạch, hay vi mạch tích hợp, hay mạch tích hợp (integrated circuit, gọi tắt IC, còn gọi là chip theo thuật ngữ tiếng Anh) là tập các mạch điện chứa các linh kiện bán dẫn (như transistor) và linh kiện điện tử thụ động (như điện trở) được kết nối với nhau, để thực hiện được một chức năng xác định.

RAM động và Vi mạch · Samsung Electronics và Vi mạch · Xem thêm »

Danh sách trên trả lời các câu hỏi sau

So sánh giữa RAM động và Samsung Electronics

RAM động có 8 mối quan hệ, trong khi Samsung Electronics có 56. Khi họ có chung 1, chỉ số Jaccard là 1.56% = 1 / (8 + 56).

Tài liệu tham khảo

Bài viết này cho thấy mối quan hệ giữa RAM động và Samsung Electronics. Để truy cập mỗi bài viết mà từ đó các thông tin được trích xuất, vui lòng truy cập:

Chào! Chúng tôi đang ở trên Facebook bây giờ! »