Logo
Unionpedia
Giao tiếp
Tải nội dung trên Google Play
Mới! Tải Unionpedia trên thiết bị Android™ của bạn!
Miễn phí
truy cập nhanh hơn trình duyệt!
 

Phòng thí nghiệm Bell và Transistor hiệu ứng trường

Phím tắt: Sự khác biệt, Điểm tương đồng, Jaccard Similarity Hệ số, Tài liệu tham khảo.

Sự khác biệt giữa Phòng thí nghiệm Bell và Transistor hiệu ứng trường

Phòng thí nghiệm Bell vs. Transistor hiệu ứng trường

Phòng thí nghiệm Bell ở Murray Hill, New Jersey Phòng thí nghiệm Nokia Bell (tiếng Anh: Nokia Bell Laboratories, Bell Labs) hoặc Phòng thí nghiệm Điện thoại Bell (Bell Telephone Laboratories) là một công ty con phụ trách nghiên cứu và phát triển của Alcatel-Lucent. Transistor hiệu ứng trường hay Transistor trường, Tranzito trường, viết tắt là FET (tiếng Anh: Field-effect transistor) là nhóm các linh kiện bán dẫn loại transistor có sử dụng điện trường để kiểm soát tác động đến độ dẫn của kênh dẫn của vật liệu bán dẫn.

Những điểm tương đồng giữa Phòng thí nghiệm Bell và Transistor hiệu ứng trường

Phòng thí nghiệm Bell và Transistor hiệu ứng trường có 1 điểm chung (trong Unionpedia): Transistor.

Transistor

Transistor hay tranzito là một loại linh kiện bán dẫn chủ động, thường được sử dụng như một phần tử khuếch đại hoặc một khóa điện t. Transistor nằm trong khối đơn vị cơ bản tạo thành một cấu trúc mạch ở máy tính điện tử và tất cả các thiết bị điện tử hiện đại khác.

Phòng thí nghiệm Bell và Transistor · Transistor và Transistor hiệu ứng trường · Xem thêm »

Danh sách trên trả lời các câu hỏi sau

So sánh giữa Phòng thí nghiệm Bell và Transistor hiệu ứng trường

Phòng thí nghiệm Bell có 14 mối quan hệ, trong khi Transistor hiệu ứng trường có 14. Khi họ có chung 1, chỉ số Jaccard là 3.57% = 1 / (14 + 14).

Tài liệu tham khảo

Bài viết này cho thấy mối quan hệ giữa Phòng thí nghiệm Bell và Transistor hiệu ứng trường. Để truy cập mỗi bài viết mà từ đó các thông tin được trích xuất, vui lòng truy cập:

Chào! Chúng tôi đang ở trên Facebook bây giờ! »